Evolución memoria ROM

Memoria ROM

Jan 1, 1956

Año de invención: 1 de enero 1956
Significado de la sigla: Read Only Memory
Mecanismo de programación y borrado: Mask Programmed, no se podía borrar.
Vida útil: No Infor.
Tiemo de lectura, escritura y borrado: No info.

EPROM

Apr 1, 1971

Año de invención: 1971
Significado de la sigla: Erasable and Programmable Read-only Memory
Mecanismo de programación y borrado: Se borraba mediante luz UV y se programa meiante inyección de electrones
Vida útil: 10 años,
Tiemo de escritura: menos de 100 microsegundos
Tiempo de lectura: 200ns

Memoria EEPROM

Apr 1, 1978

Año de invención:1978
Significado de la sigla:Electrically Erasable and Reprogrammable
Mecanismo de programacipon y borrado: Se borran los datos con carga de voltaje y tunneling, y se programan mediante la inyección de electrones.
Tiempo de borrado: 1s
Tiempo de escritura: menos de 100 microsegundos
Tiempo de lectura: 200 ns
Vida útil: 100,000 y un millón de veces

Memoria Flash

Apr 1, 1980

Año de invención:1980
Significado de la sigla:Memoria flash
Mecanismo de programacipon y borrado:Se programa y borra por medio de tunneling
Tiemo de escritura: 5 ms
TIempo de lectura: 35 ns
Vida útil: 10,000 ciclos