Evolucion ROM hasta Memoria Flash

By facebooker_524823371011914

  • ROM

    ROM
    Siglas: Read-Only Memory Esta se programa durante la fabricación. Es de 128 Mbits. Su tecnología es fusible-link.

  • EEPROM

    EEPROM
    Siglas: Electrically Erasable and Reprogrammable.
    Borra los datos por carga de voltaje(Tunneling). Fue creada por Intel.
    El mecanismo de programación es por inyección de electrón en caliente. El tiempo en borrar en de 1 segundo

  • FLAS

    FLAS
    Fue creada por Toshiba.
    Posee vida útil de 10,000 ciclos.
    El mecanismo de programación y borrado es Tunneling.
    Tiempo de escritura en celdas es de 5ms.
    El tiempo de lectura es de 35ns.

  • EPROM

    EPROM
    Año invento: 1971 por Intel
    SIglas: Erasable and Programmable Read-only memory.
    Carga electrostática atrapada en celda de transistor.
    Los datos se graban por 10 años o más.
    Para borrar se usa la luz ultravioleta.