-
ROM
Capacidad de 120 Mbits y una velocidad de lectura de 100nano segundos. Se programa durtala fabricacion con una plantilla de los datos almacenados. -
PROM
Durante su programacion se le aplica voltajede 12 a 21 voltios de los fusibles, Los fusibles quemados son 0 y los nuevos 1. su tiempo de vida es limitado -
EPROM
Se almacena informacion con una carga electrica entre 12 y 25 V en la flotating gate. que se almacena como 18.0 Se borran los datos con rayos UV.
Tiempo de escritura 210mirco segundos. de lectura 200ns tiempo de borrado 20 min -
EEPROM
Borra los datos mediante cargas electricas llamadas tuneling. el tiempo de borrado es de 1s. de escritura es un micro segundo y de lectura 200ns. Se programa con el metodo hot electron inyection. -
Flash Memory
Se puede reprogramar y eliminar datos desde 1 hasta 1024 bytes. Para programacion y borrado se utiliza el efecto tuneling. Tiempo de lectura 35ns y de escritura 15 ms. Tiempo de borrado de 5ms.
